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论文

一种射频大功率放大器电源偏置电路设计方法(英文)

  • 沈 明 ,
  • 耿波 ,
  • 于沛玲
展开
  • 1.中国科学院研究生院 北京 100080;

    2. 中国科学院空间科学与应用研究中心 北京 100080

收稿日期: 1900-01-01

  修回日期: 1900-01-01

  网络出版日期: 2006-01-15

A RF High Power Amplifier Bias circuits Design Technique

  • SHEN Ming ,
  • GENG Bo ,
  • YU Pei-Ling
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  • 1. Graduate School of Chinese Academy of sciences, Beijing 100080;


    2. Center for Space Science and Applied Research, Beijing 100080

Received date: 1900-01-01

  Revised date: 1900-01-01

  Online published: 2006-01-15

摘要

设计射频大功率放大器时,为了传输大的电源电流而加宽的λ/4电源偏置微带线往往不能很好的对偏置电路和信号电路进行隔离,从而影响放大器的性能。本文对一种采用加厚微带线设计λ/4电源偏置电路的方法进行了分析,并根据一种卫星数传发射机的功率放大器设计要求,分别采用本文介绍的方法和传统方法设计了两个功率放大器,给出了分析和试验结果,结果表明加厚λ/4偏置微带线可以比传统方法令功率放大器获得更高的性能,具有较大参考意义。

本文引用格式

沈 明 , 耿波 , 于沛玲 . 一种射频大功率放大器电源偏置电路设计方法(英文)[J]. 中国科学院大学学报, 2006 , 23(1) : 77 -82 . DOI: 10.7523/j.issn.2095-6134.2006.1.015

Abstract

When conducting design of RF high power amplifier (HPA), the broadened microstrip λ/4 bias line for high DC current decreases the performance of the HPA. In this article, a thickened microstrip line is proposed to design the λ/4 drain bias circuit for HPA and is applied to a power amplifier for a miniaturized satellite transmitter. Measurement results showed that thickened bias line is feasible and useful for increasing HPA’s performance.
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