一种射频大功率放大器电源偏置电路设计方法（英文）

doi:10.7523/j.issn.2095-6134.2006.1.015

中国科学院大学学报 ›› 2006, Vol. 23 ›› Issue (1): 77-82.DOI: 10.7523/j.issn.2095-6134.2006.1.015

一种射频大功率放大器电源偏置电路设计方法（英文）

沈明; 耿波; 于沛玲

1.中国科学院研究生院北京 100080;

2. 中国科学院空间科学与应用研究中心北京 100080

收稿日期:1900-01-01 修回日期:1900-01-01 发布日期:2006-01-15

A RF High Power Amplifier Bias circuits Design Technique

SHEN Ming, GENG Bo, YU Pei-Ling

1. Graduate School of Chinese Academy of sciences, Beijing 100080;

2. Center for Space Science and Applied Research, Beijing 100080

Received:1900-01-01 Revised:1900-01-01 Published:2006-01-15

摘要/Abstract

摘要： 设计射频大功率放大器时，为了传输大的电源电流而加宽的λ/4电源偏置微带线往往不能很好的对偏置电路和信号电路进行隔离，从而影响放大器的性能。本文对一种采用加厚微带线设计λ/4电源偏置电路的方法进行了分析，并根据一种卫星数传发射机的功率放大器设计要求，分别采用本文介绍的方法和传统方法设计了两个功率放大器，给出了分析和试验结果，结果表明加厚λ/4偏置微带线可以比传统方法令功率放大器获得更高的性能，具有较大参考意义。

关键词: 功率放大器, 偏置电路, 小信号S参数, 功率附加效率PAE

Abstract: When conducting design of RF high power amplifier (HPA), the broadened microstrip λ/4 bias line for high DC current decreases the performance of the HPA. In this article, a thickened microstrip line is proposed to design the λ/4 drain bias circuit for HPA and is applied to a power amplifier for a miniaturized satellite transmitter. Measurement results showed that thickened bias line is feasible and useful for increasing HPA’s performance.

Key words: Power amplifier, Bias circuit, Small signal S parameter, Power added efficiency (PAE)

中图分类号:

TN722.1

沈明; 耿波; 于沛玲. 一种射频大功率放大器电源偏置电路设计方法（英文）[J]. 中国科学院大学学报, 2006, 23(1): 77-82.

SHEN Ming, GENG Bo, YU Pei-Ling. A RF High Power Amplifier Bias circuits Design Technique[J]. , 2006, 23(1): 77-82.

一种射频大功率放大器电源偏置电路设计方法（英文）

A RF High Power Amplifier Bias circuits Design Technique

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